9月10日-12日，SEMICON Taiwan 2025在台北南港展览馆盛大举行，一场由人工智能（AI）芯片驱动，融合先进封装、3DIC、Chiplet与扇出型面板级先进封装（FOPLP）等前沿技术的创新浪潮席卷而来。在这场年度盛会上，盛美半导体全面展示了其在FOPLP设备领域的最新成果与战略布局。
AI芯片引爆需求 FOPLP或成未来封装技术新主流
在AI、高性能计算（HPC）、数据中心等新兴应用带动下，半导体先进封装风向转向，FOPLP有望接棒CoWoS，成为未来AI芯片封装新主流。现行CoWoS采用圆形基板，随着可置放的芯片越来越大，无法达到有限切割需求，若改由面板级封装的方形基板进行芯片封装，数量会比采用圆形基板多数倍，达到更高的利用率，并大幅降低成本，使得FOPLP成为半导体先进封装新显学。
盛美半导体董事长王晖博士表示：“先进封装对于满足低延迟、高带宽和高性价比半导体芯片的需求越来越重要。扇出型面板级封装（FOPLP）能够提供高带宽和高密度的芯片互连，因此具有更大的发展潜力，此方法正在迅速成为关键解决方案，它将多个芯片、无源器件和互连集成在面板上的单个封装内，可提供更高的灵活性、可扩展性以及成本效益。”
从市场规模来看，据Yole预测，扇出型面板级封装（FOPLP）方法的应用增长速度高于扇出市场整体增长速度，其市场份额相较于扇出型晶圆级封装（FOWLP）而言将从2022年的2%上升至2028年的8%。“这一增长背后的主要动力是成本的降低，传统硅晶圆的使用率低于85%，而面板的使用率高于95%，600x600毫米面板的有效面积是300毫米传统硅晶圆有效面积的5.7倍，面板总体成本预计可降低66%。面积利用率的提高带来了更高的产能、更大的AI芯片设计灵活性以及显著的成本降低。”王晖博士说道。
在这一进程中，半导体设备作为其中关键一环前景广阔，盛美半导体敏锐地洞察到这一趋势，凭借丰富的技术和工艺积累，积极布局FOPLP领域，不断丰富产品线，致力于为全球集成电路行业提供先进的设备及工艺解决方案。
盛美半导体董事长王晖博士
解决电镀工艺难题 盛美半导体面板级电镀设备实现突破
在本次SEMICON Taiwan 2025上，王晖博士在主题为《面向AI芯片的先进封装FOPLP与电镀技术的机遇与挑战》分享中全面展示了盛美半导体在FOPLP领域的最新突破与成果。
从技术上来看，FOPLP的高精度工艺注定其对设备要求极高，尤其是在光刻、电镀和层压工艺环节。以电镀工艺为例，目前面临着诸多难题：在高深宽比TSV和细间距RDL结构中，电镀液浸润不均与电流分布不匀易导致镀层厚度差异，影响芯片性能；多材料电镀（如Cu、Ni、SnAg）时易发生槽间交叉污染；此外，硅、玻璃、环氧树脂等基材的热膨胀系数差异可能引起面板翘曲，进而破坏电镀均匀性。实现FOPLP的大规模量产，攻克电镀设备难关已成为当前的关键所在。盛美半导体基于多年技术积累推出的Ultra ECP ap-p面板级水平电镀设备解决了电镀工艺的难题，实现了多项技术创新。
盛美半导体Ultra ECP ap-p面板级电镀设备
据王晖博士介绍，与传统的垂直电镀解决方案不同，盛美半导体的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备创新性地采用了水平（平面）电镀方式，利用旋转的方式，搭配独立的多阳极控制，能够更好地控制电镀均匀性；同时能够实现面板传输过程中引起的槽体间污染控制，大大降低了不同种金属之间离子交叉污染的风险，可作为具有亚微米RDL和微柱的大型面板的理想选择。该设备可加工尺寸高达515x510毫米的面板，同时具有600x600毫米版本可供选择，公司现在正在开发310x310毫米面板的应用。该设备兼容有机基板和玻璃基板，可用于硅通孔（TSV）填充、铜柱、镍和锡银（SnAg）电镀、焊料凸块以及采用铜、镍、锡银和金电镀层的高密度扇出型（HDFO）产品。Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美半导体自主研发的世界首创面板级水平电镀技术，可动态精确控制旋转中的整个面板的电场分布。该技术适用于各种制造工艺，可确保整个面板的电镀效果一致，从而确保面板内和面板之间的良好均匀性。得益于多重优势，盛美半导体Ultra ECP ap-p设备深获业界肯定，并于2025年3月拿下美国3D InCites协会颁发的“Technology Enablement Award”大奖
抢占先进封装新赛道 盛美半导体打造FOPLP设备产品矩阵
除了Ultra ECP ap-p面板级电镀设备外，盛美半导体还推出了Ultra C vac-p面板级负压清洗设备、Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备两款面板级先进封装的新产品，助推AI芯片封装从传统的晶圆级封装向更高密度、更大尺寸的面板级封装转型。
盛美半导体Ultra C vac-p面板级负压清洗设备
王晖博士指出，“当节点尺寸小于40um时，传统的助焊剂清洗设备无法清洗干净，盛美半导体的负压助焊剂清洗技术创造性地解决了这一问题。”具体来看，Ultra C vac-p面板级负压清洗设备可处理510x515毫米和600x600毫米尺寸的面板以及高达7毫米的面板翘曲。利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物，可使清洗液到达狭窄的缝隙，显著提高了清洗效率，目前该设备已经在客户端实现量产。
盛美半导体Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备
Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备采用专为边缘刻蚀和铜残留清除而设计的湿法刻蚀工艺，在扇出型面板级封装技术中起到至关重要的作用。该工艺对于有效避免电气短路、最大限度降低污染风险、保持后续工艺步骤的完整性至关重要，有助于确保器件经久耐用。该设备的高效性主要得益于盛美半导体的专利技术，以应对方形面板衬底所带来的独特挑战。与传统的圆形晶圆不同，盛美半导体的独特设计可以实现精确的去边工艺，确保在翘曲面板的加工过程仅限于边缘区域。这一专利技术对于保持刻蚀工艺的完整性以及提供先进半导体技术所需的高性能和可靠性至关重要。
展望未来，王晖博士表示：“盛美半导体将持续秉持‘技术差异化、产品平台化、客户全球化’的发展战略，积极把握半导体产业变革机遇，以前瞻视角紧跟市场趋势，持续加大研发投入，加速全球化进程，未来计划在中国台湾建设研发生产基地，将研发和生产带到中国台湾；同时不断拓展和丰富产品矩阵，满足全球客户日益增长的差异化需求，致力于成为半导体设备领域具有全球影响力的创新引领者，通过一系列新产品的自主开发以及海内外并购，到2030年年销售超过200亿元人民币，目标跻身世界集成电路设备企业十强行列。”（校对/孙乐）
